20000),介电常数随电场强度的变化小,能形成薄的膜(<25μm),烧结温度低。弛豫体的缺点是介电常数随频率的变化大,在居里点以下介质损耗高。在宽广的温度范围内介质的稳定性不高,因而尚不适合作X7R电容器。" />
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关于电容弛豫体材料替代

文章出处:东莞市瓷谷电子科技有限公司 发表时间:2019.08.22

    BaTiO3基介质是多层电容器所选用的传统材料,而且在继续使用。现在,被称为弛豫铁电体的Pb (B,B2)O3复合钙钛矿型材料引起了人们的重视,因为这类材料的介电常数高(>20000),介电常数随电场强度的变化小,能形成薄的膜(<25μm),烧结温度低。弛豫体的缺点是介电常数随频率的变化大,在居里点以下介质损耗高。在宽广的温度范围内介质的稳定性不高,因而尚不适合作X7R电容器。

    虽然通常BaTiO3基MLCC制造成本不太高,但弛豫体电容器如用低成本电极则还可能更低。制造上的其他缺点(如PbO的毒性、活泼性等)虽然目前还有提及,但将不再成为问题。另一个问题是材料的机械强度低,韧性差,因而可能限制其在表面安装和军用设备中的应用。然而,弛豫体材料可制成厚度低于10um的薄膜。日本研究者8经开发出有效介质厚度仅6um的MLCC,其比体积电容为钽电解电容器的两倍。

    弛豫铁电体也可以与具他铁电体配合用。日本NEC公司用反铁电体Pb (Mg,.W1a) O。(PMW)、驰豫铁电体Pb (NiNbz) O3 (PNN)和正规铁电体PbTio,(PT)组成的三元系统来制造电容器。PMW因其反铁电性压低了居里点,并将其移到较低温度。因此,利用PMW,不需要添加剂就可以作成具有Y5V、Y5U和Y5T型的各种电容器。NEC公司还利用Mg wO.作原料代替MgO和WO3,对PMW材料的制造方法取得了专利权。

    我国清华大学的研究指出,组成为PMN-PZN-PT的弛豫体材料由于存在PZN可以在900C下烧结。这类材料的机械强度和击穿强度可以与BaTiO3相比拟,且偏压特性改善(在偏压下会  < <10%)。他们还发现,在空气中淬火和退火(900C/4h),可以使机械强度和击穿强度提高(15~ 30)%。

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